Ruski naučnici završili su prvi segment naučnog kompleksa SILA, koji će omogućiti proučavanje strukture materijala na atomskom nivou i praćenje izuzetno brzih fizičkih procesa.

Postrojenje se gradi u blizini Moskve, a njegov cilj je da pomogne u razvoju novih lekova, baterija, poluprovodnika i drugih naprednih materijala.

Prvi deo akumulacionog prstena dužine 10 metara, koji je sada završen, na raspolaganju ima komponente proizvedene i sastavljene radi provere njihove međusobne kompatibilnosti. To još ne znači da je akcelerator spreman za rad, ali je projekat prešao važnu fazu razvoja.

SILA će objediniti dve tehnologije - sinhrotron četvrte generacije i rendgenski laser sa slobodnim elektronima.

Sinhrotron koristi elektrone koji se kreću gotovo brzinom svetlosti kako bi proizveo snažno zračenje, pomoću kojeg naučnici mogu da proučavaju unutrašnju strukturu materijala bez njihovog uništavanja.

Rendgenski laser će, s druge strane, proizvoditi izuzetno kratke svetlosne impulse. Oni će omogućiti praćenje promena koje se odvijaju za svega nekoliko milionitih delova milijarditog dela sekunde, uključujući procese tokom hemijskih reakcija.

Prema planu, obim akumulacionog prstena premašiće 1.100 metara, dok će energija elektrona dostizati 6 gigaelektronvolti (GeV). Poređenja radi, ruski sinhrotron SKIF u Novosibirsku projektovan je za energiju od 3 GeV. Ipak, mogućnosti ovakvih postrojenja zavise i od kvaliteta zračenja, preciznosti upravljanja snopom i eksperimentalne opreme.

Izgled SILA kompleksa u Rusiji
Foto: 53CPI

Kompleks bi trebalo da ima više od 50 eksperimentalnih stanica. Naučnici će na njima moći da proučavaju ponašanje materijala pri ekstremnim temperaturama i pritiscima, strukturu proteina i hemijske reakcije, kao i uticaj električnih i magnetnih polja.

Posebna prednost rendgenskog lasera biće mogućnost da zabeleži stanje materijala pre nego što ga snažno zračenje značajnije promeni.

Iako je prvi segment završen, pred istraživačima je još mnogo posla. Neophodno je izgraditi ostatak prstena, povezati opremu i podesiti čitav sistem pre nego što kroz njega prođe prvi snop elektrona.