U telefone i mobilne uređaje uskoro će se ugrađivati interna memorija od oko 384 GB, koja je brža i pouzdanija od sadašnje memorije.

Izvor: Samsung Press Images.

Kompanija Samsung i zvanično je najavila nešto o čemu se dosta šuškalo u poslednjih par nedelja, a to je da je počela masovnu proizvodnju prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije.

Ovo predstavlja napredak u ograničenju skaliranja postojeće NAND fleš tehnologije. Postigavši napredak u performansama i prostoru, novi 3D V-NAND koristiće se u širokom spektru potrošačkih elektronskih uređaja i korporativnih primena, uključujući ugrađena NAND skladišta i SSD.

Samsungov novi V-NAND nudi gustinu od 128 gigabita (Gb) na jednom čipu, koristeći vertikalnu strukturu ćelije koja se zasniva na tehnologiji 3D Charge Trap Flash (CTF) i tehnološkom procesu vertikalnog međusobnog povezivanja kako bi povezao matricu 3D ćelije. Primenom obe tehnologije, Samsungov 3D V-NAND može da ponudi za preko dva puta veće skaliranje planarnog NAND fleša u klasi od 20 nm.

Tokom četrdeset godina, konvencionalna fleš memorija bazirala se na planarnim strukturama koje koriste plutajuće kapije. Kako je tehnologija procesa proizvodnje nastavila ka klasi od 10 nm i više, pojavila se zabrinutost u vezi sa limitom skaliranja, zbog međućelijske interferencije koja ugrožava pozdanost NAND fleš proizvoda. To je odvelo do ulaganja dodatnog vremena i troškova za razvoj.

Samsungov novi V-NAND rešava takve tehničke izazove postižući nove nivoe inovacije u kolima, strukturi i procesu proizvodnje putem kojeg je uspešno razvijeno vertikalno slaganje planarnih ćelijskih slojeva za novu 3D strukturu. Kako bi to postigao, Samsung je redizajnirao arhitekturu CTF-a, koji je prvi put razvijen 2006. godine. U Samsungovoj NAND fleš arhitekturi koja je bazirana na CTF-u, električno punjenje je privremeno smešteno u komoru sa neprovodljivim slojem fleša koji se sastoji od silikon nitrida (SiN), umesto da se koristi plutajuća kapija da spreči interferenciju između susednih ćelija.

Sa pretvaranjem tog sloja CTF-a u trodimenzionalni, izuzetno su se povećale pouzdanost i brzina NAND memorije. Novi 3D V-NAND ne pokazuje samo povećanje od najmanje 2x do maksimalnih 10x veće pouzdanosti, već ima i dva puta bolje performanse pisanja u odnosu na plutajuću kapiju konvencionalne NAND fleš memorije u klasi od 10 nm.

Takođe, jedan od najvažnijih tehnoloških dostignuća novog Samsungovog V-NAND-a jeste da tehnologija vertikalnog povezivanja može da sadrži čak 24 sloja ćelija vertikalno, koristeći specijalnu tehnologiju urezivanja koja elektronski povezuje slojeve bušenjem rupa od najvišeg sloja do onog najnižeg. Sa novom vertikalnom strukturom, Samsung može da omogući veću gustinu kod proizvoda sa NAND fleš memorijom uvećavajući slojeve 3D ćelija bez potrebe da se nastavi planarno skaliranje koje je postalo veoma teško za ostvarivanje.

Posle skoro 10 godina istraživanja u oblasti 3D vertikalnog NAND-a, Samsung sada ima više od 300 3D memorijskih tehnologija koje čekaju na patentiranje širom sveta.

Prema IHS iSuppli, očekuje se da će globalno tržište NAND fleš memorija skočiti na oko 30.8 milijardi dolara u prihodima do kraja 2016. godine, sa oko 23.6 milijardi tokom 2013. sa ukupnom godišnjom stopom rasta od 11 procenata, pri čemu će predvoditi rast čitave industrije memorija.

Postanite deo SMARTLIFE zajednice na Viberu.