Samsung razvija čip koji će novim telefonima omogućiti 6 GB RAM memorije.
Sledeća generacija pametnih telefona i tableta moći će da ima duplo više RAM memorije u odnosu na trenutnu generaciju zahvaljujući Samsungu. Kompanija razvija 12 Gbit LPDDR4 DRAM čip koji će omogućiti telefonima ugradnju 6 GB RAM memorije.
Čip je baziran na 20nm tehnologiji što znači da zauzima isto onoliko prostora kao i čip od 3 GB.
Čipovi su takođe brži, za 30 procenata u odnosu na 20nm 8 Gbit LPDDR4 čipove. I ne samo to, dva puta su brži od DDR4 čipova koji se nalaze na desktop računarima i troše 20 posto manje energije, navodi Tech Times.
Novi 12 Gbit LPDDR4 će omogućiti ugradnju 3GB i 6GB DRAM modula u jednom pakovanju, koristeći 2 ili 4 čipa. U prošlosti, 8 Gbit čip je omogućavao maksimum 4 GB u jednom modulu.
Tehnologija se osim u telefonima može upotrebljavati i u tabletima, veoma tankim PC računarima pa čak i u atuomobilima.
Čekamo vaše komentare ispod vesti i na Facebooku,Twitteru i Instagramu.
Postanite deo SMARTLIFE zajednice na Viberu.
